在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程。
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基于互补型单电子晶体管(SET)逻辑门,提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。
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基于单电子晶体管(SET)的I_U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门。
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以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。
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在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程。
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基于互补型单电子晶体管(SET)逻辑门,提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。
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基于单电子晶体管(SET)的I_U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门。
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以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。
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